Įvadas į greito atkūrimo diodą

Greito atkūrimo diodai taip pat dažniausiai vaizduojami grafiniais įprastų diodų simboliais ir skiriasi tekstiniu aprašymu arba modeliu. Greito atkūrimo diodas yra panašus į įprastą diodą, tačiau gamybos procesas skiriasi nuo bendro tranzistoriaus. Prie PN sankryžos esanti dopingo koncentracija yra labai maža, kad būtų pasiektas didesnis perjungimo greitis ir mažesnis tiesioginės įtampos kritimas. Jo atvirkštinis atkūrimo laikas yra 200–750 ns, o didelis greitis gali siekti 10 ns. Palyginti su Schottky diodu, jo atsparumo įtampa yra daug didesnė. Jis daugiausia naudojamas kaip greitaeigis lygintuvas ir kaip lyginamasis tranzistorius perjungiant maitinimo šaltinį ir inverterio maitinimo šaltinį, siekiant sumažinti išjungimo nuostolius, pagerinti efektyvumą ir sumažinti triukšmą.